Een zich ontwikkelende vorm van computergeheugen heeft het potentieel om informatie sneller en goedkoper op te slaan, terwijl u minder energie verbruikt, dan wat tegenwoordig door de halfgeleiderindustrie wordt gebruikt, NYU natuurkunde professor Andrew Kent concludeert.

In een analyse die in het tijdschrift verschijnt Natuur Nanotechnologie , Kent en zijn collega Daniel Worledge van het IBM Watson Research Center bespreken een nieuw type geheugen, spin-transfer-torque magnetisch willekeurig toegankelijk geheugen (STT-MRAM).

STT-MRAM vertrouwt op magnetisme om informatie op te slaan, zoals die wordt gebruikt in bestaande harde schijven. Echter, in tegenstelling tot harde schijven, STT-MRAM wordt elektrisch geschreven en gelezen, dat wil zeggen, door alleen elektrische stromen toe te passen. Het heeft geen bewegende delen zoals een magnetische harde schijf en kan daarom veel sneller werken dan een harde schijf. Belangrijker, STT-MRAM kan net zo snel werken als de snelste op halfgeleiders gebaseerde random access-geheugens, en dus worden gebruikt als het werkgeheugen van een computer en draagbaar apparaat (bijv. smartphone) - een geheugen dat vaak wordt gebruikt.

Als resultaat, deze magnetische apparaten kunnen worden gebruikt om de prestaties van dergelijke apparaten te verbeteren, snelheid toevoegen terwijl, tegelijkertijd, de benodigde hoeveelheid energie aanzienlijk verminderen.

Kent en Worledge waarschuwen dat er verschillende "technologische uitdagingen moeten worden aangegaan voordat STT-MRAM op grote schaal kan worden toegepast in de meest geavanceerde toepassingen" - misschien wel het belangrijkste, ontwikkelingen die hun informatieopslagcapaciteit vergroten.

Echter, zij merken op dat de vooruitgang die in het afgelopen decennium is geboekt, dankzij snelle vorderingen in academisch en industrieel onderzoek, biedt grote hoop dat deze baanbrekende geheugentechnologie in de toekomst zijn weg zal vinden naar onze computers en draagbare apparaten.