(PhysOrg.com) -- De geheugencapaciteit van elektronische apparaten zou in de toekomst kunnen worden vergroot dankzij een organisch gegevensopslagsysteem dat gebruikmaakt van ternaire in plaats van binaire gegevensopslag. Het huidige prototype is ontworpen voor permanente gegevensopslag, en kan één keer worden geschreven, maar meerdere keren worden gelezen, maar de Chinese onderzoekers hopen herschrijfbare gegevensopslag te ontwikkelen op basis van de technologie.

Binaire systemen registreren gegevens als een schakelbare reeks nullen en enen, overwegende dat ternaire systemen gegevens registreren als nullen, een of twee, die ook elektrisch schakelbare toestanden zijn. De extra waarde betekent in theorie dat er veel meer gegevens kunnen worden opgeslagen in dezelfde hoeveelheid opslagruimte. Er bestaan ​​al ternaire systemen, maar zijn meestal experimenteel.

Een nieuw systeem, ontwikkeld door Hongwei Gu en Jianmei Lu en collega's aan de Soochow University, Suzhou in het oosten van China, is een ternair systeem dat gebruik maakt van een nieuwe gesynthetiseerde organische azoverbinding die is ingeklemd tussen aluminium- en indiumtinoxide (ITO) elektroden. Elke elektrode-eenheid fungeert als een gegevensopslageenheid, die op dezelfde manier werkt als de gemagnetiseerde patches op een harde schijf die gegevens opslaan. Wanneer er een spanning op de aluminiumelektrode wordt gezet, het gemak van elektronenstroom (en dichtheid van moleculaire stapeling) in de azoverbinding wordt veranderd in een laag, medium of hoge geleidbaarheidstoestand die overeenkomt met nul, een, of twee respectievelijk.

Een groep wetenschappers, geleid door Ritesh Agarwal aan de Universiteit van Pennsylvania, eerder anorganische verbindingen hebben gebruikt om een ​​betrouwbare ternaire gegevensopslag te ontwikkelen die uitwisbaar is, maar het prototype van Lu en Gu is het eerste betrouwbare ternaire systeem dat een organische verbinding gebruikt in een permanent gegevensopslagapparaat.

Systemen voor gegevensopslag met hoge dichtheid (HDDS) zijn nodig om de steeds grotere hoeveelheden informatie op te slaan. Het prototype ontwikkeld aan de Soochow University zou kunnen leiden tot een enorme toename van de potentiële geheugendichtheid in toekomstige elektronische apparaten.

De krant is gepubliceerd in de Tijdschrift van de American Chemical Society .

© 2010 PhysOrg.com