Galliumoxide is een opmerkelijk halfgeleidermateriaal met een brede bandgap. Simpel gezegd, dat betekent dat het mogelijk kan worden gebruikt om elektronische apparaten te maken die onder extreme omstandigheden kunnen werken, zoals bij blootstelling aan hoge hitte en hoge doses straling. Maar voordat het wijdverbreid kan worden gebruikt, we moeten er meer over weten.

"Om optimaal gebruik te maken van dit materiaal, we moeten defecten op atomair niveau in de kristallijne structuur begrijpen, " zegt Ge Yang, een assistent-professor nucleaire techniek bij NC State.

En dat is precies wat Yang en zijn medewerkers hebben gedaan. In een recente krant, "Lage temperatuur kathodoluminescentie studie van Fe-gedoteerde β-Ga ₂ O ₃ , " gepubliceerd in Materialen Brieven , de onderzoekers konden een reeks defecten identificeren die in het materiaal te vinden zijn.

"Als je eenmaal weet welke gebreken er in een materiaal zitten, je kunt uitzoeken hoe die defecten de elektronische eigenschappen van het materiaal beïnvloeden - waar we nu aan werken, Yang zegt. "We kunnen dan manieren vinden om deze defecten te induceren of te verminderen, afhankelijk van welke eigenschappen wenselijk zijn voor een specifieke toepassing. Daar zijn we ook mee bezig."