Chemische dampafzetting (CVD): Dit proces omvat de chemische reactie van een verdampt precursorgas met een substraat om een ​​dunne film af te zetten. Siliciumnitride (Si3N4) kan bijvoorbeeld worden afgezet door de reactie van silaan (SiH4) en ammoniak (NH3) gassen bij hoge temperaturen.

Fysische dampafzetting (PVD): Dit proces omvat de fysieke afzetting van materiaal op een substraat door verdamping of sputteren. Metaalfilms kunnen bijvoorbeeld worden afgezet door thermische verdamping, waarbij het metaal wordt verwarmd totdat het verdampt en vervolgens condenseert op het substraat.

Elektrodepositie: Dit proces omvat de afzetting van materiaal op een substraat door middel van elektrochemische reacties. Koper kan bijvoorbeeld elektrolytisch worden afgezet door het substraat onder te dompelen in een kopersulfaatoplossing en een spanning aan te leggen tussen het substraat en een koperelektrode.

Moleculaire bundelepitaxie (MBE): Dit proces omvat de groei van dunne films met één kristal door de opeenvolgende afzetting van individuele atomaire lagen. Galliumarsenide (GaAs) kan bijvoorbeeld worden gekweekt door MBE door afwisselend lagen gallium- en arseenatomen op een substraat af te zetten.

Depositie van atomaire lagen (ALD): Dit proces omvat de opeenvolgende afzetting van individuele atomaire lagen door afwisselende pulsen van precursorgassen. Aluminiumoxide (Al2O3) kan bijvoorbeeld worden afgezet door ALD door afwisselende pulsen van trimethylaluminium (TMA) en water (H2O) gassen.