Met de markt voor draagbare elektronische apparaten stevig verankerd, Er wordt actief onderzoek gedaan naar elektronisch textiel dat als elektronische apparaten kan functioneren. Op stoffen gebaseerde items zijn flexibel en kunnen de hele dag comfortabel worden gedragen, waardoor ze het ideale platform zijn voor draagbare elektronische apparaten.

Het onderzoeksteam van Dr. Jung-ah Lim van het Korea Institute of Science and Technology heeft aangekondigd dat het een transistor heeft ontwikkeld met een vezelstructuur, waardoor het de kenmerken van een textiel krijgt. Het kan in kleding worden gestoken en behoudt een adequaat niveau van functionaliteit, zelfs na het wassen.

Bestaande technologie omvat het fysiek bevestigen van een solide elektronisch apparaat zoals een sensor aan het oppervlak van kleding of het gebruik van geleidend textiel om verschillende apparaten aan te sluiten, met weinig tot geen aandacht voor het comfort van de drager. Bestaande transistors van het draadtype worden gemaakt door een platte transistor op een enkele geleidende draad te deponeren. Elektroden die op deze manier zijn gemaakt, hebben een hoge spanning nodig, maar de lage stroom die wordt gegenereerd, is vaak onvoldoende om weergaveapparaten zoals LED's te activeren. Tot nu, het was ook moeilijk om elektronische circuits te creëren door contact met andere apparaten of om een ​​beschermende laag op de transistor aan te brengen om wassen mogelijk te maken.

De door het onderzoeksteam van KIST ontwikkelde transistor wordt gemaakt door getwiste elektroden aan elkaar te koppelen. Met behulp van deze structuur, het team was in staat om de lengte van de draden en de dikte van de halfgeleider aan te passen om stromen van meer dan 1 te verkrijgen 000 keer hoger dan die mogelijk zijn met bestaande transistors, zelfs bij lage spanningen (onder -1,3 V).

Door middel van testen, Het team van Lim bevestigde dat zelfs na het buigen van de transistor of het rond een cilindrisch object wikkelen over 1, 000 keer (met een resulterende dikte van ongeveer zeven millimeter), het handhaafde een prestatieniveau van meer dan 80 procent. Het team kondigde ook aan dat het prestatieniveau voldoende bleef, zelfs na het wassen van de transistor in water met wasmiddel. Het team was ook in staat om een ​​LED-apparaat te activeren met de transistor tussen de kledingdraden en elektrocardiogramsignalen te meten door middel van signaalversterking.

Lim zei, "De resultaten van deze studie wijzen op een nieuwe apparaatstructuur die de beperkingen van het huidige elektronische textiel kan overwinnen, inclusief lage stroom, hoge activeringsspanning, en lage weerstand tegen wassen. We verwachten dat ons onderzoek in de toekomst zal bijdragen aan de ontwikkeling van nog slimmere draagbare producten, inclusief draagbare computers van de volgende generatie en slimme kleding die vitale functies kan controleren."

De resultaten van dit onderzoek zijn gepubliceerd in het meest recente online nummer (nummer 31, nr. 23) van Geavanceerde materialen .