Atomische structuur

* Silicium heeft 14 elektronen, waarvan er vier zich in de buitenste valentieschil bevinden.

* Germanium heeft 32 elektronen, waarvan er vier zich in de buitenste valentieschil bevinden.

Bandafstand

* De bandafstand is het energieverschil tussen de valentieband en de geleidingsband.

* Silicium heeft een bandafstand van 1,12 eV, terwijl germanium een ​​bandafstand van 0,67 eV heeft.

Elektronenmobiliteit

* Elektronenmobiliteit is de snelheid waarmee elektronen door een halfgeleidermateriaal kunnen bewegen.

* Silicium heeft een hogere elektronenmobiliteit dan germanium.

Hole-mobiliteit

* Gatenmobiliteit is de snelheid waarmee gaten (afwezigheid van elektronen) door een halfgeleidermateriaal kunnen bewegen.

* Germanium heeft een hogere gatenmobiliteit dan silicium.

Toepassingen

* Silicium is het meest gebruikte halfgeleidermateriaal vanwege de hoge elektronenmobiliteit en -rijkdom. Het wordt gebruikt in een grote verscheidenheid aan elektronische apparaten, waaronder transistors, geïntegreerde schakelingen, zonnecellen en fotodiodes.

* Germanium wordt gebruikt in sommige snelle elektronische apparaten, zoals microgolftransistors en fotodiodes. Het wordt ook gebruikt in sommige soorten zonnecellen.

Over het geheel genomen is silicium het meest veelzijdige en meest gebruikte halfgeleidermateriaal, maar germanium heeft in bepaalde toepassingen enkele voordelen.