De kniespanning voor germanium is ongeveer 0,3 V, niet 0,2 V. De kniespanning, ook wel de inschakelspanning genoemd, is de minimale voorwaartse spanning die op een halfgeleiderdiode moet worden aangelegd om er een aanzienlijke stroom doorheen te laten stromen.

In het geval van germanium ligt de kniespanning vanwege zijn intrinsieke eigenschappen rond de 0,3 V. Germanium heeft een grotere bandafstand-energie dan silicium, wat betekent dat er meer energie nodig is om elektronen van de valentieband naar de geleidingsband te exciteren. Dit resulteert in een hogere voorwaartse spanningsval over de diode voordat een substantiële stroom kan optreden.

De kniespanning is een belangrijke parameter in diodecircuits, omdat deze de drempelspanning bepaalt waarbij de diode begint te geleiden. Het is ook een sleutelfactor bij het ontwerp en de werking van verschillende halfgeleiderapparaten, zoals transistors, gelijkrichters en zonnecellen.