In een MIM-structuur wordt een dunne laag isolatiemateriaal ingeklemd tussen twee metalen elektroden. Wanneer er spanning op de elektroden wordt gezet, kan het elektrische veld in de isolator ervoor zorgen dat het materiaal kapot gaat en een geleidend pad tussen de elektroden vormt. Dit proces wordt resistief schakelen genoemd.

De resistieve schakelkarakteristieken van een MIM-structuur zijn afhankelijk van een aantal factoren, waaronder de gebruikte materialen, de dikte van de isolatielaag en de aangelegde spanning. Er is echter aangetoond dat MIM-structuren uitstekende resistieve schakeleigenschappen vertonen, waardoor ze ideaal zijn voor gebruik in resistieve geheugenapparaten.

Resistieve geheugenapparaten zijn een soort niet-vluchtig geheugen dat het resistieve schakeleffect gebruikt om gegevens op te slaan. Resistieve geheugenapparaten zijn veelbelovende kandidaten voor een aantal toepassingen, waaronder solid-state drives, embedded geheugen en neuromorfisch computergebruik.