Siliciumdisulfide (SiS$_2$) heeft een gebogen moleculaire geometrie met een bindingshoek van ongeveer 119,5 graden. De moleculaire vorm van SiS$_2$ kan worden omschreven als hoekig of V-vormig.

Deze moleculaire geometrie en bindingshoek kunnen worden begrepen op basis van de valentieschil-elektronenpaarafstotingstheorie (VSEPR). In SiS$_2$ is het centrale siliciumatoom (Si) gebonden aan twee zwavelatomen (S), elk via een dubbele binding. Silicium heeft vier valentie-elektronen, waarvan er twee betrokken zijn bij dubbele bindingen met elk zwavelatoom. Hierdoor blijven er twee vrije elektronenparen op het siliciumatoom achter.

Volgens de VSEPR-theorie zal de rangschikking van elektronenparen rond een centraal atoom een ​​geometrie aannemen die de afstoting daartussen minimaliseert. In het geval van SiS$_2$ zijn de twee vrije elektronenparen op het siliciumatoom zo ver mogelijk uit elkaar georiënteerd om de elektron-elektronenafstoting te minimaliseren. Dit resulteert in de gebogen moleculaire geometrie met een bindingshoek van ongeveer 119,5 graden.

De hoekige of V-vormige moleculaire vorm van siliciumdisulfide wordt beïnvloed door de afstoting tussen de twee vrije elektronenparen op het siliciumatoom en de bindingsparen van elektronen die betrokken zijn bij de dubbele bindingen met de zwavelatomen. Deze opstelling leidt tot een vervormde tetraëdrische elektronenpaargeometrie rond het siliciumatoom, waardoor de gebogen moleculaire structuur ontstaat.