Transistors worden echter gekenmerkt door verschillende parameters, elk met een eigen eenheid:

* Huidige versterking (β of HFE): Dit is een dimensieloze verhouding, die de versterkingsfactor van de transistor weergeeft. Het is de verhouding tussen collectorstroom en basisstroom.

* Transconductance (GM): Gemeten in siemens (s) of mho (℧) . Dit vertegenwoordigt de verandering in uitgangsstroom voor een verandering in ingangsspanning.

* Uitgangsweerstand (RO): Gemeten in ohm (ω) . Het vertegenwoordigt de weerstand van het uitgangscircuit.

* Input Resistance (RI): Gemeten in ohm (ω) . Het vertegenwoordigt de weerstand van het ingangscircuit.

* Power Dissipation: Gemeten in watt (w) . Dit duidt op het maximale vermogen dat de transistor kan aankunnen zonder oververhitting te raken.

* spanning: Gemeten in volt (v) . Dit verwijst naar de spanning over verschillende delen van de transistor, zoals de base-emitter of collector-emitter junctions.

* frequentie: Gemeten in Hertz (Hz) . Dit geeft de frequentie aan waarmee de transistor effectief kan werken.

Hoewel er geen 'eenheid van een transistor is', is het cruciaal voor het karakteriseren en analyseren van transistorgedrag van deze parameters.