1. Doping: Door onzuiverheden of doteermiddelen in het grafeenrooster te introduceren, kunnen de elektrische eigenschappen ervan worden gewijzigd. Het doteren van grafeen met stikstofatomen kan bijvoorbeeld de geleidbaarheid ervan vergroten en er een n-type halfgeleider van maken, terwijl doteren met booratomen een p-type halfgeleider kan creëren.

2. Spanningstechniek: Het uitoefenen van spanning of mechanische spanning op grafeen kan de elektronische bandstructuur en daarmee de elektrische eigenschappen aanzienlijk veranderen. Door de grafeenlaag uit te rekken of samen te drukken, kan de bandafstand worden gewijzigd, wat leidt tot veranderingen in de geleidbaarheid en andere elektrische kenmerken.

3. Substraattechniek: Het type substraat waarop grafeen wordt gekweekt of overgedragen, kan de elektrische eigenschappen ervan beïnvloeden. Het plaatsen van grafeen op een substraat met een specifieke diëlektrische constante of atomaire opstelling kan bijvoorbeeld de mobiliteit van de drager en andere elektrische parameters wijzigen.

4. Functionalisatie: Chemische functionaliteit van grafeen met verschillende functionele groepen of moleculen kan de elektrische eigenschappen ervan veranderen. Door specifieke functionele groepen aan elkaar te koppelen kan de elektronische structuur van grafeen worden gewijzigd, wat leidt tot veranderingen in de geleidbaarheid, bandafstand en andere elektrische kenmerken.

5. Kwantumopsluiting: Grafeen kan worden omgezet in nanostructuren, zoals nanolinten of kwantumdots, die unieke elektrische eigenschappen vertonen als gevolg van kwantumopsluitingseffecten. Deze nanostructuren kunnen verschillende bandafstanden en geleidbaarheid hebben vergeleken met ongerept grafeen.

6. Elektrisch veldeffect: Het aanleggen van een elektrisch veld loodrecht op het grafeenvlak kan een verandering in de dragerconcentratie en geleidbaarheid veroorzaken. Dit effect wordt vaak waargenomen in op grafeen gebaseerde veldeffecttransistors (GFET's).

7. Magnetisch veldeffect: Een magnetisch veld kan ook de elektrische eigenschappen van grafeen beïnvloeden door de spin van de ladingsdragers te beïnvloeden. Dit fenomeen staat bekend als het quantum Hall-effect en kan worden gebruikt om de fundamentele elektronische eigenschappen van grafeen te bestuderen.

Door deze methoden te gebruiken kunnen de elektrische eigenschappen van grafeen nauwkeurig worden gecontroleerd en op maat worden gemaakt voor specifieke toepassingen in de elektronica, opto-elektronica, energieopslag en andere gebieden.