Deze methode omvat het afzetten van een dunne film van het 2D-materiaal op een substraat met een vergelijkbare kristalstructuur. Het substraat biedt een sjabloon voor de groei van het 2D-materiaal, wat de vorming van enkele kristallen bevordert.

Chemische dampdepositie (CVD)

Bij deze methode wordt een damp die de voorlopers voor het 2D-materiaal bevat, in een kamer gebracht. De voorlopers reageren op het substraat om het 2D-materiaal te vormen. CVD kan worden gebruikt om hoogwaardige enkele kristallen van 2D-materialen te laten groeien.

Moleculaire bundelepitaxie (MBE)

MBE is een techniek die moleculaire bundels van de voorlopers gebruikt om dunne films van materiaal te laten groeien. MBE kan worden gebruikt om hoogwaardige monokristallen van 2D-materialen te laten groeien met nauwkeurige controle over de dikte en samenstelling van de film.

Vloeistoffase-epitaxie (LPE)

LPE omvat het afzetten van een gesmolten oplossing van de voorlopers op een substraat. Het 2D-materiaal kristalliseert uit de oplossing terwijl deze afkoelt. LPE kan worden gebruikt om enkele kristallen van 2D-materialen met een hoge mate van perfectie te laten groeien.

Synthese in de oplossingsfase

Bij deze methode worden de precursors voor het 2D-materiaal opgelost in een oplosmiddel. De oplossing wordt vervolgens verwarmd totdat de voorlopers reageren om het 2D-materiaal te vormen. Oplossingsfasesynthese kan worden gebruikt om enkele kristallen van 2D-materialen in verschillende vormen en maten te laten groeien.

De keuze van de methode voor het vergroten van 2D-materialen als enkele kristallen hangt af van verschillende factoren, waaronder de kristalstructuur van het materiaal, de gewenste grootte en vorm van de kristallen en de beschikbare hulpbronnen.