Een team van onderzoekers van de Universiteit van Peking in Peking, China, en Duke University in Durham, Noord Carolina, heeft aangetoond dat geïntegreerde schakelingen op basis van koolstof nanobuisjes kunnen werken onder een voedingsspanning die veel lager is dan die gebruikt in conventionele silicium geïntegreerde schakelingen.

Lage voedingsspanningscircuits produceren minder warmte, wat een belangrijke beperkende factor is voor een verhoogde circuitdichtheid. Op koolstof gebaseerde elektronica heeft vooral de aandacht getrokken vanwege hun snelheid.

Het nieuwe onderzoek toont aan dat geïntegreerde schakelingen van koolstofnanobuisjes ook de belofte kunnen bieden om de wet van Moore uit te breiden door nog meer transistors op een enkele chip te laten passen zonder oververhitting.

De resultaten worden gerapporteerd in een paper dat is geaccepteerd voor publicatie in het tijdschrift van het American Institute of Physics Technische Natuurkunde Brieven .