Gebruikers van Purdue University, samenwerken met medewerkers van de CNM Electronic &Magnetic Materials &Devices Group, bestudeerde CVD-gegroeid grafeen op polykristallijne koperfolie voor de eerste keer op atomaire schaal. De bevindingen van ultrahoog vacuüm scanning tunneling microscopie (UHV-STM) die bij CNM zijn uitgevoerd, zullen helpen bij het optimaliseren van de synthese naar defectvrij grafeen.

De focus van deze studie was om de kwaliteit van de films en relatieve oriëntaties van verschillende grafeendomeinen te onderzoeken met behulp van de UHV-STM-faciliteit bij CNM. Het recente artikel behandelt ook de resulterende implicaties voor domeingrenseffecten op transporteigenschappen.

Het werk volgt op eerdere studies bij CNM die grafeen op eenkristal Cu(111) onderzochten. Net als bij het eenkristalwerk, er werd aangetoond dat domeingrenzen de mobiliteit van de dragers van de grafeenvellen dramatisch beïnvloeden. Het vermogen om grafeen van hoge kwaliteit te synthetiseren voor grootschalige integratie is een van de belangrijkste uitdagingen voor dit materiële systeem. Fundamentele STM-experimenten uitgevoerd op atomaire schaal hebben de studie van defecten in de als gegroeide films mogelijk gemaakt.

Onderzoekers van de Universiteit van Houston, Staatsuniversiteit van Texas, Carl Zeiss SMT, en het Centrum voor Functionele Nanomaterialen namen ook deel aan de studie, die wordt gekenmerkt als de omslagafbeelding van Natuurmaterialen .