bipolaire junctie transistor (BJT) versus Field Effect Transistor (FET)

Zowel BJT's als FET's zijn drie-terminale halfgeleiderapparaten die worden gebruikt voor het versterken en wisselen van elektronische signalen. Ze verschillen echter in hun operationele principes, constructie en kenmerken:

1. Operationeel principe:

* BJT: De stroom door een BJT wordt geregeld door de basisstroom . Een kleine basisstroom kan een veel grotere collectorstroom regelen. De BJT is een stroomgestuurd apparaat .

* FET: De stroom door een FET wordt geregeld door de poortspanning . Een verandering in poortspanning verandert de geleidbaarheid van het kanaal, waardoor de stroom wordt geregeld. De FET is een spanningsgestuurd apparaat .

2. Constructie:

* BJT: BJT's zijn gemaakt van twee pn junctions -Een basis-emitterverbinding en een knooppunt in basis-collector. De basis is een dun, licht gedoteerd gebied dat is ingeklemd tussen de emitter en de verzamelaar.

* FET: FET's bestaan ​​uit een enkele pn junction (voor JFET's) of een metaal-oxide-halfgeleider (MOS) structuur (voor MOSFETS). De poort is geïsoleerd van het kanaal door een oxidelaag.

3. Kenmerken:

BJT:

* Hogere stroomversterking: BJT's hebben over het algemeen een hogere stroomversterking (β) dan FET's.

* Lagere invoerimpedantie: BJT's hebben een lagere invoerimpedantie dan FET's.

* gevoeliger voor temperatuurveranderingen: BJT's vertonen een hogere temperatuurgevoeligheid dan FET's.

* meer gevoelig voor ruis: BJT's zijn meestal gevoeliger voor ruis dan FET's.

FET:

* Hogere invoerimpedantie: FET's hebben een hogere invoerimpedantie dan BJT's.

* Lagere stroomverbruik: FET's verbruiken over het algemeen minder stroom dan BJT's.

* Lagere ruis: FET's hebben de neiging om lager geluid te hebben dan BJT's.

* breed scala aan bedrijfsfrequenties: FET's zijn geschikt voor hoogfrequente toepassingen.

4. Toepassingen:

* BJT: Versterkers, schakelaars, oscillatoren, logische circuits, stroomelektronica en nog veel meer.

* FET: Low-roise versterkers, RF-circuits, sensoren, hoogfrequente versterkers en meer.

Samenvatting Tabel:

| Feature | BJT | FET |

| --- | --- | --- |

| Controlemechanisme | Huidige gecontroleerd | Spanning gecontroleerd |

| constructie | Twee PN -knooppunten | Enkele PN junction of MOS -structuur |

| Huidige versterking | Hoog | Lager |

| Input Impedance | Laag | Hoog |

| Temperatuurgevoeligheid | Hoog | Laag |

| ruis | Hoog | Laag |

| stroomverbruik | Hoog | Laag |

| Bedrijfsfrequentie | Lager | Hoger |

Conclusie , zowel BJT's als FET's hebben hun sterke en zwakke punten, waardoor ze geschikt zijn voor verschillende toepassingen. De keuze tussen hen hangt af van de specifieke vereisten van het circuit.