De Hall-coëfficiënt van germanium is doorgaans negatief, wat aangeeft dat de meerderheid van de ladingsdragers in germanium elektronen zijn. De waarde van de Hall-coëfficiënt voor germanium varieert met de temperatuur en de dopingconcentratie. Bij kamertemperatuur is de Hall-coëfficiënt van intrinsiek germanium ongeveer -3,8 x 10^-4 m^3/C. Voor germanium van het n-type wordt de Hall-coëfficiënt gegeven door:

$$R_H =\frac{1}{ne}$$

waarbij n de elektronenconcentratie is. Voor germanium van het p-type wordt de Hall-coëfficiënt gegeven door:

$$R_H =-\frac{1}{pe}$$

waarbij p de gatenconcentratie is.

De Hall-coëfficiënt kan worden gebruikt om het type halfgeleider (n-type of p-type), de dragerconcentratie en de mobiliteit van de ladingsdragers te bepalen.